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SI3865BDV-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI3865BDV-T1-E3 数据手册 (2 页)

典型应用电路图在1 页

原理图在2 页

SI3865BDV-T1-E3 数据手册 (2 页)

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SI3865BDV-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

额定功率

830 mW

输出接口数

1 Output

输出电流

2.9 A

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

0.83 W

漏源极电压(Vds)

8.00 V

连续漏极电流(Ids)

2.90 A

输出电流(Max)

2.9 A

输入数

1 Input

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

830 mW

输入电压

1.8V ~ 8V

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SI3865BDV-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI3865BDV-T1-E3 符合标准

SI3865BDV-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.04 MByte

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