器件3D模型

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SI4362DY 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4362DY 数据手册 (6 页)

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SI4362DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

漏源极电阻

4.50 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.50 W

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

20.0 A

上升时间

14 ns

下降时间

43 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3500 mW

SI4362DY 符合标准

SI4362DY 数据手册

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VISHAY（威世）

6 页 / 0.1 MByte

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