Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4401DDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4401DDY-T1-GE3
器件3D模型
0.335
SI4401DDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI4401DDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.018 Ω
功耗
6.3 W
漏源极电压(Vds)
40 V
输入电容值(Ciss)
3007pF @20V(Vds)
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

SI4401DDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4401DDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.24 MByte
Vishay Siliconix
10 页 / 0.24 MByte

SI4401DDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
-40V,-16.1A,P沟道MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4401DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -16.1 A, -40 V, 0.018 ohm, -4.5 V, -1.2 V
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z