Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4410BDY-T1-GE3 Datasheet 文档
SI4410BDY-T1-GE3
器件3D模型
0.537

SI4410BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO-8
极性
N-Channel
功耗
1.4W (Ta)
漏源极电压(Vds)
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
耗散功率(Max)
1.4W (Ta)

SI4410BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI4410BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.15 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.22 MByte

SI4410BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
VISHAY(威世)
SI4410BDY-T1-GE3 编带
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4410BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 10A, 30V, 2.5W
Vishay Intertechnology
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: SI4410 数据手册
BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z