器件3D模型

￥ 0.237

SI4425DDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4425DDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4425DDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI4425DDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI4425DDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0081 Ω

极性

P-Channel

功耗

5.7 W

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4425DDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI4425DDY-T1-GE3 符合标准

SI4425DDY-T1-GE3 海关信息

SI4425DDY-T1-GE3 数据手册

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10 页 / 0.24 MByte

SI4425DDY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.18 MByte

SI4425DDY-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

4 页 / 0.27 MByte

SI4425DDYT1 数据手册

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VISHAY（威世）

P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-19.7A P=5.7W

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