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SI4425DY
器件3D模型
0.251
SI4425DY 数据手册 (5 页)
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SI4425DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO
漏源极电阻
14.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.50 W
栅源击穿电压
±20.0 V

SI4425DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI4425DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.22 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.09 MByte

SI4425 数据手册

VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道 VDS=-30V VGS=±20V ID=-19.7A P=5.7W
Fairchild(飞兆/仙童)
单P沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4425BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 0.01 ohm, -10 V, -400 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4425DDY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -19.7 A, -30 V, 8.1 mohm, -10 V, -1.2 V
VISHAY(威世)
场效应管, MOSFET, P沟道
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4425BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P沟道
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