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SI4427BDY
器件3D模型
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SI4427BDY 数据手册 (6 页)
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SI4427BDY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
9.7A

SI4427BDY 数据手册

VISHAY(威世)
6 页 / 0.1 MByte

SI4427 数据手册

VISHAY(威世)
SI4427BDY-T1-E3 编带
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -600 mV
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4427BDY-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -9.7 A, -30 V, 0.0088 ohm, -10 V, -1.4 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
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