器件3D模型

￥ 0.334

SI4435BDY-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4435BDY-T1-E3 数据手册 (6 页)

SI4435BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO-8

漏源极电阻

0.035 Ω

功耗

1.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5W (Ta)

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SI4435BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4435BDY-T1-E3 符合标准

SI4435BDY-T1-E3 概述

SI4435BDY-T1-E3 数据手册

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6 页 / 0.09 MByte

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