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SI4435BDY-T1-GE3
0.374
SI4435BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)
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SI4435BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
极性
P-Channel
漏源极电压(Vds)
-30.0 V
连续漏极电流(Ids)
-9.10 A

SI4435BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY(威世)
9 页 / 0.17 MByte
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SI4435BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
P通道30 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
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Vishay Semiconductor(威世)
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