器件3D模型

￥ 0.621

SI4435DY 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4435DY 数据手册 (11 页)

封装尺寸在1 页

SI4435DY 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4435DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.015 Ω

功耗

2.5 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

13.5 ns

输入电容值(Ciss)

1604pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

1 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

查看数据手册 >

SI4435DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.57 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

SI4435DY 符合标准

SI4435DY 概述

SI4435DY 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

11 页 / 0.15 MByte

SI4435DY 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.66 MByte

SI4435 数据手册

SI4435DDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI4435DYTRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SI4435DYTRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -8 A, -30 V, 0.015 ohm, 10 V, -1 V 新

SI4435DDY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

-30V,-11.4A,P沟道MOSFET

SI4435DY 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SI4435DY. 晶体管, MOSFET, P沟道, -8.8 A, -30 V, 15 mohm, -10 V, -1.7 V

SI4435DY 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET SI4435DY, 8.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

SI4435DYTRPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

P沟道,-30V,-8A,20mΩ@10V

SI4435DDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4435DDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4435DDY-T1-GE3 场效应管, P通道, MOSFET, -30V, -8.1A, SOIC-8, 整卷

SI4435DYPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SI4435DYPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 8 A, -30 V, 0.015 ohm, -10 V, -1 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号