器件3D模型

￥ 0.295

SI4464DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4464DY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI4464DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

240 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.5 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

1.7A

上升时间

12 ns

额定功率(Max)

1.5 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

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SI4464DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

2500

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SI4464DY-T1-GE3 符合标准

SI4464DY-T1-GE3 概述

SI4464DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

SI4464DY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.17 MByte

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