器件3D模型

￥ 0.429

SI4477DY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4477DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI4477DY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI4477DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0051 Ω

极性

P-Channel

功耗

3 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

-26.6 A

上升时间

42 ns

输入电容值(Ciss)

4600pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

6.6 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

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SI4477DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

2500

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SI4477DY-T1-GE3 符合标准

SI4477DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

SI4477DY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

10 页 / 0.17 MByte

SI4477DY-T1-GE3 产品修订记录

VISHAY（威世）

4 页 / 0.27 MByte

SI4477DYT1 数据手册

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VISHAY SI4477DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V

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