器件3D模型

￥ 0.617

SI4477DY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4477DY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI4477DY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4477DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-8

功耗

3W (Ta), 6.6W (Tc)

输入电容值(Ciss)

4600pF @10V(Vds)

耗散功率(Max)

3W (Ta), 6.6W (Tc)

查看数据手册 >

SI4477DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

SI4477DY-T1-GE3 符合标准

SI4477DY-T1-GE3 概述

SI4477DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

10 页 / 0.25 MByte

SI4477DY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

11 页 / 0.25 MByte

SI4477DY-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Siliconix

6 页 / 0.24 MByte

SI4477DYT1 数据手册

SI4477DY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

SI4477DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4477DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4477DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V

SI4477DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号