器件3D模型

￥ 1.182

SI4490DY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4490DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.85 A, 200 V, 65 mohm, 10 V, 2 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4490DY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页

SI4490DY-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI4490DY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.065 Ω

极性

N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

2.85 A

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4490DY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

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SI4490DY-T1-GE3 符合标准

SI4490DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.15 MByte

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