器件3D模型

￥ 0.262

SI4501DY 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

描述:

互补MOSFET半桥（ N和P通道） Complementary MOSFET Half-Bridge (N- and P-Channel)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4501DY 数据手册 (8 页)

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SI4501DY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC

极性

N+P

漏源极电压(Vds)

30V, 8V

连续漏极电流(Ids)

9A/6.2A

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SI4501DY 符合标准

SI4501DY 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.08 MByte

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