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SI4532ADY-T1
器件3D模型
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SI4532ADY-T1 数据手册 (8 页)
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SI4532ADY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO
漏源极电阻
53.0 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2.00 W
漏源击穿电压
30.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.90 A

SI4532ADY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SI4532ADY-T1 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.1 MByte

SI4532 数据手册

VISHAY(威世)
N和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双 N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4532DY  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 30 V, 53 mohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4532CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 38 mohm, 10 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A,3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
Vishay Siliconix
VISHAY SILICONIX  SI4532CDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, NP-通道, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8
Vishay Semiconductor(威世)
N/P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4532ADY-T1-GE3  场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道
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