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SI4542DY
器件3D模型
0.854
SI4542DY 数据手册 (4 页)
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SI4542DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
7.00 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.019 Ω
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1.5 V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
±30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.00 A
输入电容值(Ciss)
830pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.6 W

SI4542DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.575 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SI4542DY 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.86 MByte

SI4542 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
30V互补的PowerTrench MOSFET 30V Complementary PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4542DY  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.5 V
VISHAY(威世)
N端和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N-and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N端和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N-and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
N端和P沟道30 V(D -S)的MOSFET N-and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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