器件3D模型

￥ 0.117

SI4804CDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

VISHAY SI4804CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 30 V, 18 mohm, 10 V, 2.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4804CDY-T1-GE3 数据手册 (7 页)

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SI4804CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.018 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

13 ns

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4804CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4804CDY-T1-GE3 符合标准

SI4804CDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.08 MByte

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