器件3D模型

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SI4810DY-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

描述:

N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4810DY-T1 数据手册 (24 页)

引脚图在5 页 6 页 7 页Hot

封装尺寸在22 页 23 页

典型应用电路图在1 页

原理图在8 页 16 页 19 页

SI4810DY-T1 数据手册 (24 页)

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SI4810DY-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

漏源极电阻

20.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.50 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

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SI4810DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI4810DY-T1 符合标准

SI4810DY-T1 数据手册

VISHAY（威世）

24 页 / 0.35 MByte

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