器件3D模型

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SI4812DY-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

描述:

N通道30 -V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4812DY-T1 数据手册 (6 页)

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SI4812DY-T1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

漏源极电阻

28.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

1.40 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.90 A

SI4812DY-T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

SI4812DY-T1 符合标准

SI4812DY-T1 数据手册

SI4812DY-T1 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.08 MByte

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