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SI4816BDY-T1-E3
器件3D模型
0.709
SI4816BDY-T1-E3 数据手册 (13 页)
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SI4816BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO-8

SI4816BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
宽度
3.9 mm

SI4816BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology
13 页 / 0.19 MByte

SI4816BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VISHAY(威世)
双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4816BDY-T1-GE3.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, SOIC
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4816BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双路 N 通道, 30V, 0.0093Ω
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
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