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SI4820DY-T1
器件3D模型
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SI4820DY-T1 数据手册 (4 页)
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SI4820DY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SO
漏源极电阻
20.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
2.50 W
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A

SI4820DY-T1 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.04 MByte

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N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
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Vishay Semiconductor(威世)
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