器件3D模型

￥ 0.953

SI4830CDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

双N通道30 -V （ DS ） MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4830CDY-T1-GE3 数据手册 (14 页)

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SI4830CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.156 Ω

极性

Dual N

功耗

2 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.7A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

950pF @15V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.9 W

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SI4830CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

最小包装数量

2500

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SI4830CDY-T1-GE3 符合标准

SI4830CDY-T1-GE3 概述

SI4830CDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

14 页 / 0.2 MByte

SI4830CDY-T1-GE3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

15 页 / 0.25 MByte

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