器件3D模型

￥ 0.153

SI4850BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4850BDY-T1-GE3 数据手册 (6 页)

SI4850BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.016 Ω

功耗

4.5 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

790pF @30V(Vds)

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

查看数据手册 >

SI4850BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

查看数据手册 >

SI4850BDY-T1-GE3 符合标准

SI4850BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

6 页 / 0.21 MByte

SI4850BDYT1 数据手册

SI4850BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.8 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号