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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Semiconductor(威世) > SI4850EY-E3 Datasheet 文档
SI4850EY-E3
器件3D模型
0.637
SI4850EY-E3 数据手册 (8 页)
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SI4850EY-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SO
额定功率
3.3 W
漏源极电阻
22.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
1.70 W
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
6.00 A

SI4850EY-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube

SI4850EY-E3 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.24 MByte

SI4850 数据手册

VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
VISHAY(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4850EY-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 60 V, 0.018 ohm, 10 V, 3 V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 60 V, 0.016 ohm, 10 V, 2.8 V
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道减少的Qg ,快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Vishay Siliconix
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