Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4913DY Datasheet 文档
SI4913DY
器件3D模型
0
SI4913DY 数据手册 (6 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SI4913DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC
漏源极电阻
15.0 mΩ
极性
Dual P-Channel
功耗
2.00 W
连续漏极电流(Ids)
-7.10 A

SI4913DY 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

SI4913DY 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.09 MByte

SI4913 数据手册

VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4913DY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -20V, 9.4A
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z