器件3D模型

￥ 0.75

SI4925BDY 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

描述:

双P通道30 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4925BDY 数据手册

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SI4925BDY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

额定功率

2 W

极性

P-CH

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

5.3A

上升时间

12 ns

下降时间

34 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

SI4925BDY 符合标准

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