器件3D模型

￥ 0.76

SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页

SI4925BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

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SI4925BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

Dual P-Channel

功耗

1.1 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-5.30 A

上升时间

12 ns

下降时间

34 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI4925BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Cut Tape (CT)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI4925BDY-T1-GE3 符合标准

SI4925BDY-T1-GE3 数据手册

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