器件3D模型

￥ 2.505

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4925DDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4925DDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

5 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

极性

P-Channel

功耗

5 W

输入电容值(Ciss)

1350pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

5 W

查看数据手册 >

SI4925DDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI4925DDY-T1-GE3 符合标准

SI4925DDY-T1-GE3 海关信息

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.23 MByte

SI4925DDY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.23 MByte

SI4925DDYT1 数据手册

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

双 P 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

VISHAY SILICONIX SI4925DDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双P沟道, 30V, 8A, SOIC-8

SI4925DDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4925DDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -30 V, 24 mohm, -10 V, -3 V

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号