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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SI4936BDY-T1-E3 Datasheet 文档
SI4936BDY-T1-E3
器件3D模型
0.397
SI4936BDY-T1-E3 数据手册 (10 页)
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SI4936BDY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
漏源极电阻
0.051 Ω
功耗
2.8 W
阈值电压
3 V
输入电容
530pF @15V
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
上升时间
25 ns
热阻
58℃/W (RθJA)
输入电容值(Ciss)
530pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
2.8 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI4936BDY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
长度
5 mm
高度
1.55 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI4936BDY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix
10 页 / 0.23 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.16 MByte
Vishay Siliconix
1 页 / 0.12 MByte

SI4936BDYT1 数据手册

VISHAY(威世)
双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4936BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 6.9A
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Vishay Semiconductor(威世)
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