器件3D模型

￥ 4.553

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI4936BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOIC-8

极性

Dual N-Channel

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.90 A

输入电容值(Ciss)

530pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.8 W

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SI4936BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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SI4936BDY-T1-GE3 符合标准

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

10 页 / 0.23 MByte

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