器件3D模型

￥ 0.738

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

SI4936BDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

35 mΩ

极性

Dual N

功耗

2 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

6.9A

输入电容值(Ciss)

530pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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SI4936BDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2500

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SI4936BDY-T1-GE3 符合标准

SI4936BDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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