器件3D模型

￥ 0.135

SI4936CDY-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4936CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.8 A, 30 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI4936CDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

封装尺寸在7 页 8 页

SI4936CDY-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI4936CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2.3 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

325pF @15V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1700 mW

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SI4936CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI4936CDY-T1-GE3 符合标准

SI4936CDY-T1-GE3 海关信息

SI4936CDY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.24 MByte

SI4936CDY-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.17 MByte

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