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SI4943BDY-T1
器件3D模型
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SI4943BDY-T1 数据手册
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SI4943BDY-T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
6.3A

SI4943 数据手册

VISHAY(威世)
双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
双P通道20 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4943CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 V
Vishay Semiconductor(威世)
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