SI4946BEY-T1-E3

器件3D模型

￥ 0.709

SI4946BEY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

双N通道60 -V （ D- S） 175℃ MOSFET Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 °C MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4946BEY-T1-E3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

SI4946BEY-T1-E3 数据手册 (9 页)

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SI4946BEY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

额定功率

3.7 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

极性

N-Channel, Dual N-Channel

功耗

2.4 W

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

65.0 A

反向恢复时间

25 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

840pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

2.4 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 175℃

耗散功率(Max)

3.7 W

查看数据手册 >

SI4946BEY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5 mm

宽度

4 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

最小包装数量

2500

查看数据手册 >

SI4946BEY-T1-E3 符合标准

SI4946BEY-T1-E3 概述

SI4946BEY-T1-E3 数据手册

SI4946BEY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

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VISHAY（威世）

15 页 / 1.95 MByte

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