器件3D模型

￥ 0.131

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

SOIC

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册 (9 页)

SI4946CDY-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.033 Ω

功耗

2 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

350pF @30V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

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SI4946CDY-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI4946CDY-T1-GE3 符合标准

SI4946CDY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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SI4946CDYT1 数据手册

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双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.1 A, 60 V, 0.033 ohm, 10 V, 3 V

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