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SI4953DY
器件3D模型
0.765
SI4953DY 数据手册 (4 页)
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SI4953DY 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
-4.90 A
封装
SO
漏源极电阻
53.0 mΩ
极性
P-Channel
功耗
2.00 W
漏源击穿电压
-30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V

SI4953DY 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.04 MByte

SI4953 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4953ADY-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, SOIC-8
Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
双P通道30 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Fairchild(飞兆/仙童)
双P沟道增强型MOSFET Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI4953ADY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 4.9A
Vishay Semiconductor(威世)
双P通道30 - V(D -S)的MOSFET Dual P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
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