器件3D模型

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SI4965DY-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SO-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4965DY-E3 数据手册 (5 页)

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SI4965DY-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO-8

漏源极电阻

21.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.00 W

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-8.00 A to 8.00 A

SI4965DY-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

SI4965DY-E3 符合标准

SI4965DY-E3 数据手册

SI4965DY-E3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

5 页 / 0.08 MByte

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