器件3D模型

￥ 0.835

SI4966DY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4966DY-T1-E3 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4966DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

7.10 A

上升时间

40 ns

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2000 mW

查看数据手册 >

SI4966DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.55 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI4966DY-T1-E3 符合标准

SI4966DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.04 MByte

SI4966DY-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.16 MByte

SI4966DYT1 数据手册

SI4966DY-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

SI4966DY-T1-E3 编带

SI4966DY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI4966DY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

SI4966DY-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号