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SI5404BDC-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SMD-8

描述:

N沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI5404BDC-T1-E3 数据手册 (17 页)

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SI5404BDC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SMD-8

漏源极电阻

28 mΩ

极性

N-CH

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

5.4A

上升时间

12 ns

额定功率(Max)

1.3 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2500 mW

SI5404BDC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

SI5404BDC-T1-E3 符合标准

SI5404BDC-T1-E3 数据手册

SI5404BDC-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

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SI5404BDC-T1-E3 产品手册

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