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SI5435BDC-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

P 通道 MOSFET，30V 至 80V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI5435BDC-T1-E3 数据手册 (6 页)

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SI5435BDC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

1206

漏源极电阻

0.045 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.3 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-5.90 A

热阻

50℃/W (RθJA)

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.3 W

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SI5435BDC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.05 mm

宽度

1.65 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI5435BDC-T1-E3 符合标准

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