￥ 0.541

SI5441BDC-T1-GE3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

1206

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI5441BDC-T1-GE3 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI5441BDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

1206

极性

P-Channel

功耗

1.3W (Ta)

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

61.0 A

耗散功率(Max)

1.3W (Ta)

SI5441BDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI5441BDC-T1-GE3 符合标准

SI5441BDC-T1-GE3 概述

SI5441BDC-T1-GE3 数据手册

SI5441BDC-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

10 页 / 0.22 MByte

SI5441BDCT1 数据手册

SI5441BDC-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI5441BDC-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206

SI5441BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI5441BDC-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道2.5 -V （G -S ）的MOSFET P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

SI5441BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI5441BDC-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 61A, 1206

SI5441BDC-T1-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号