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SI5475BDC-T1-GE3
器件3D模型
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SI5475BDC-T1-GE3 数据手册 (7 页)
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SI5475BDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装(公制)
3216
封装
1206
功耗
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
漏源极电压(Vds)
12 V
输入电容值(Ciss)
1400pF @6V(Vds)
耗散功率(Max)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

SI5475BDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.2 mm
宽度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SI5475BDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.12 MByte
Vishay Siliconix
11 页 / 0.22 MByte

SI5475BDCT1 数据手册

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