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SI5475DC-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

Chip

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI5475DC-T1-E3 数据手册 (5 页)

SI5475DC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

Chip

漏源极电阻

31.0 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.50 W

漏源极电压(Vds)

12 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

5.5A

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SI5475DC-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SI5475DC-T1-E3 符合标准

SI5475DC-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.11 MByte

SI5475DC-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.21 MByte

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