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SI5475DDC-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

VISHAY SI5475DDC-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -400 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI5475DDC-T1-GE3 数据手册 (12 页)

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SI5475DDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装(公制)

3216

封装

1206

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.026 Ω

极性

P-Channel

功耗

5.7 W

漏源极电压(Vds)

-12.0 V

连续漏极电流(Ids)

-6.00 A

上升时间

40 ns

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI5475DDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.2 mm

宽度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI5475DDC-T1-GE3 符合标准

SI5475DDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

12 页 / 0.25 MByte

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