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SI5475DDC-T1-GE3
0.393
SI5475DDC-T1-GE3 数据手册 (11 页)
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SI5475DDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装(公制)
3216
封装
1206
漏源极电阻
26 mΩ
功耗
5.7 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

SI5475DDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
3.2 mm
宽度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

SI5475DDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Intertechnology
11 页 / 0.2 MByte
Vishay Intertechnology
11 页 / 0.21 MByte

SI5475DDCT1 数据手册

VISHAY(威世)
P通道12 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI5475DDC-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -6 A, -12 V, 26 mohm, -4.5 V, -400 mV
Vishay Intertechnology
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