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SI5515CDC
0.17
SI5515CDC 数据手册 (16 页)
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SI5515CDC 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
Chip
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
4A/3.1A

SI5515CDC 数据手册

VISHAY(威世)
16 页 / 0.27 MByte

SI5515 数据手册

VISHAY(威世)
N和P沟道20 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
补充20 -V (D -S )的MOSFET Complementary 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SI5515CDC-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV
Vishay Semiconductor(威世)
N和P沟道20 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N和P沟道20 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
N和P沟道20 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
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