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SI5515CDC-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

1206

描述:

VISHAY SI5515CDC-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 400 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI5515CDC-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI5515CDC-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI5515CDC-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装(公制)

3216

封装

1206

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

3.1 W

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

工作温度(Max)

150 ℃

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SI5515CDC-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

3.2 mm

宽度

1.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI5515CDC-T1-GE3 符合标准

SI5515CDC-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.3 MByte

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