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SI5853DC
0.152
SI5853DC 数据手册 (6 页)
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SI5853DC 技术参数、封装参数

类型
描述
封装(公制)
3216
封装
SOT-23-8
漏源极电阻
110 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.10 W
栅源击穿电压
±8.00 V

SI5853DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
3.2 mm
宽度
1.6 mm

SI5853DC 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
6 页 / 0.12 MByte

SI5853 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 - V(D -S)的MOSFET利用肖特基二极管 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VISHAY(威世)
P沟道1.8 -V (G -S ) MOSFET和肖特基二极管 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
Vishay Semiconductor(威世)
P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
SI5853DC 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2.7A 1A 0.48V 1206-8/vs-8 marking/标记 JA
Vishay Semiconductor(威世)
P沟道1.8 V (G - S)的MOSFET与肖特基二极管 P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode
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