￥ 0

SI5853DC-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

描述:

P沟道1.8 V （G - S）的MOSFET与肖特基二极管 P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI5853DC-T1-E3 数据手册 (7 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI5853DC-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

漏源极电阻

110 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.10 W

漏源极电压(Vds)

-20.0 V

栅源击穿电压

±8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-3.60 A

SI5853DC-T1-E3 符合标准

SI5853DC-T1-E3 数据手册

SI5853DC-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

7 页 / 0.11 MByte

SI5853DCT1 数据手册

SI5853DC-T1 数据手册

Vishay Siliconix

SI5853DC-T1 数据手册

Vishay Intertechnology

SI5853DC-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI5853DC-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P沟道1.8 V （G - S）的MOSFET与肖特基二极管 P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号